26 Januar 2015 | La Revue POLYTECHNIQUE

Module IGBT

Le module de transistors bipolaires à grille isolée SEMiX^®5 (en boîtier 17 mm), est disponible en IGBT 650 V, 1200 V et 1700 V pour des applications de 50 kW à 350 kW. Grâce à une conception réduisant les inductances parasites, il se distingue par une aire de sécurité de fonctionnement renforcée, une réduction des pertes et de meilleurs rendements. A base de contacts Press-Fit, le raccordement au circuit de commande est rapide, sans brasure, fiable et économique. Le boîtier inclut de solides bornes de puissance surmoulées.

Ce boîtier permet aussi diverses topologies, en configurations à deux ou trois niveaux, notamment: 6-pack IGBT jusqu’à 300 A / 650 V, 200 A/1200 V et 150 A / 1700 V. 3 niveaux NPC jusqu’à 400 A / 650 V. 3 niveaux de type T-NPC en 650 V / 1200 V jusqu’à 400 A, 1200 V / 1200 V jusqu’à 300 A, avec connexion commune des collecteurs dans la branche de neutre pour faciliter une éventuelle mise en parallèle de modules. Circuit hacheur élévateur double jusqu’à 400 A / 650 V. Autres topologies spécifiques à l’utilisation.

Semikron AG

8304 Wallisellen

Tél.: 044 914 13 33

ww.semikron.com