Première puce électronique en molybdénite

Un nouveau matériau très prometteur, la molybdénite permet de dépasser les limites physiques du silicium. Des chercheurs de l’EPFL le prouvent en réalisant un premier circuit intégré avec des transistors plus petits et moins gourmands en électricité. Le Laboratoire d’électronique et structures à l’échelle nanométrique (LANES) a réussi à créer un circuit intégré avec des transistors composés de ce minéral. Un essai qui confirme que ce nouveau matériau peut dépasser les limites physiques du silicium en matière de miniaturisation, de consommation et de souplesse mécanique.
«Nous avons créé un premier prototype mettant deux à six transistors en série et démontré que des opérations de logique binaire basiques étaient possibles, ce qui prouve que nous pourrons réaliser des circuits plus importants», explique Andras Kis, responsable du LANES, qui a récemment publié deux articles sur le sujet dans le journal «ACS Nano».
Enfin, la molybdénite affiche des propriétés mécaniques qui la rendent également intéressante dans le domaine de l’électronique flexible, pour la réalisation, à plus long terme, de feuilles souples de circuits intégrés. Celles-ci pourraient, par exemple, servir à fabriquer des ordinateurs enroulables ou des appareils pouvant s’appliquer sur la peau.

Laboratoire d’électronique et structures à l’échelle nanométrique (LANES)
EPFL
1015 Lausanne
Tél.: 021 693 39 25

http://lanes.epfl.ch