Un transistor à effet de champ de 600 V

Le nouveau transistor à effet de champ SiHP065N60E est le premier élément de la quatrième génération des transistors de 600 V de la série de Vishay. Il se caractérise par de très faibles pertes de commutation et de passage, une résistivité de seulement 0,065 Ω (max.) et 0,057 Ω (typique) pour une tension de grille de 10 V, ainsi que par une excellente efficacité énergétique, ce qui le destine à des applications dans l’industrie et les télécommunications, ainsi qu’aux systèmes d’alimentation électrique.